SI8445DB-T2-E1
Gamintojo produkto numeris:

SI8445DB-T2-E1

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SI8445DB-T2-E1-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventorius:

12917242
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SI8445DB-T2-E1 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.2V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
84mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
850mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 5 V
VGS (Max)
±5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
4-Microfoot
Pakuotė / dėklas
4-XFBGA, CSPBGA
Pagrindinio produkto numeris
SI8445

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SI8445DB-T2-E1TR
SI8445DB-T2-E1DKR
SI8445DBT2E1
SI8445DB-T2-E1CT
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SI7476DP-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4778DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 8A 8SO

vishay-siliconix

SI7794DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK

vishay-siliconix

SI7868ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8