Gamintojo produkto numeris:
SI8466EDB-T2-E1
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI8466EDB-T2-E1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Išsami aprašymas:
N-Channel 8 V 3.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventorius:
4012 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12920600
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI8466EDB-T2-E1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
8 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.2V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
700mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
710 pF @ 4 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
4-Microfoot
Pakuotė / dėklas
4-UFBGA, WLCSP
Pagrindinio produkto numeris
SI8466
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI8466EDB-T2-E1TR
SI8466EDB-T2-E1CT
SI8466EDB-T2-E1DKR
SI8466EDBT2E1
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
SIHF18N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
