Gamintojo produkto numeris:
SI8475EDB-T1-E1
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI8475EDB-T1-E1-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 4.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventorius:
12918227
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI8475EDB-T1-E1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.9A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
4-Microfoot
Pakuotė / dėklas
4-XFBGA, CSPBGA
Pagrindinio produkto numeris
SI8475
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI8475EDB-T1-E1CT
SI8475EDB-T1-E1TR
SI8475EDBT1E1
SI8475EDB-T1-E1DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHS20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
BUK6D81-80EX
MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
