Gamintojo produkto numeris:
SI8800EDB-T2-E1
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI8800EDB-T2-E1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventorius:
5 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12914676
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI8800EDB-T2-E1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
4-Microfoot
Pakuotė / dėklas
4-XFBGA, CSPBGA
Pagrindinio produkto numeris
SI8800
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI8800EDB-T2-E1CT
SI8800EDB-T2-E1DKR
SI8800EDB-T2-E1TR
SI8800EDBT2E1
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFD9020PBF
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
IRFR9014
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
