Gamintojo produkto numeris:
SIA106DJ-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIA106DJ-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventorius:
2875 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12920068
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIA106DJ-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET® Gen IV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta), 12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
7.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
540 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SIA106
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIA106DJ-T1-GE3CT
SIA106DJ-T1-GE3TR
SIA106DJ-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7446BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SI6469DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
SIA445EDJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6