Gamintojo produkto numeris:
SIA427ADJ-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIA427ADJ-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Išsami aprašymas:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventorius:
16294 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12912471
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIA427ADJ-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
8 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.2V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
800mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 5 V
VGS (Max)
±5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2300 pF @ 4 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
19W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SIA427
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIA427ADJ-T1-GE3DKR
SIA427ADJ-T1-GE3TR
SIA427ADJ-T1-GE3CT
SIA427ADJ-T1-GE3-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRLR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRFRC20TRLPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
IRFL014TR
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
