Gamintojo produkto numeris:
SIA430DJT-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12786083
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIA430DJT-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
19.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SIA430
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIRA22DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHP18N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
SQD50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
