Gamintojo produkto numeris:
SIA439EDJ-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIA439EDJ-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 28A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventorius:
12920185
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIA439EDJ-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2410 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbinė temperatūra
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SIA439
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIA439EDJ-T1-GE3TR
SIA439EDJ-T1-GE3CT
SIA439EDJ-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMP2021UFDF-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DMP2021UFDF-13-DG
VISO KAINA
0.23
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SIA445EDJ-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
619
DiGi DALIES NUMERIS
SIA445EDJ-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.19
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
DMP2021UFDF-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
53414
DiGi DALIES NUMERIS
DMP2021UFDF-7-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHG30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
SIR662DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
