Gamintojo produkto numeris:
SIA931DJ-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIA931DJ-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventorius:
76934 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12786861
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIA931DJ-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
445pF @ 15V
Galia - Maks.
7.8W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pagrindinio produkto numeris
SIA931
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIA931DJ-T1-GE3DKR
SIA931DJ-T1-GE3CT
SIA931DJ-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
