Gamintojo produkto numeris:
SIAA40DJ-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIAA40DJ-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Inventorius:
5144 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12959811
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIAA40DJ-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET® Gen IV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
+20V, -16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
19.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SIAA40
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIAA40DJ-T1-GE3DKR
742-SIAA40DJ-T1-GE3DKR
SIAA40DJ-T1-GE3DKR-DG
SIAA40DJ-T1-GE3TR-DG
SIAA40DJ-T1-GE3CT-DG
742-SIAA40DJ-T1-GE3CT
SIAA40DJ-T1-GE3CT
742-SIAA40DJ-T1-GE3TR
SIAA40DJ-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFIZ34GPBF
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
SI7718DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
IRFR9214TRR
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
