Gamintojo produkto numeris:
SIDR402EP-T1-RE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIDR402EP-T1-RE3-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 65.2A (Ta), 291A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventorius:
12997404
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIDR402EP-T1-RE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
65.2A (Ta), 291A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
VGS (Max)
+20V, -16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9100 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8DC
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIDR402EP-T1-RE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHK055N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FBG04N30BC
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
25P06
MOSFET P-CH 60V 25A TO-252
