Gamintojo produkto numeris:
SIDR668ADP-T1-RE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIDR668ADP-T1-RE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 23.3A (Ta), 104A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventorius:
7386 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13141899
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIDR668ADP-T1-RE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET® Gen IV
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
23.3A (Ta), 104A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
7.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3750 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8DC
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIDR668
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIDR668ADP-T1-RE3CT
742-SIDR668ADP-T1-RE3TR
742-SIDR668ADP-T1-RE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJQ144AE-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
SIHP24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
SIHG052N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
