SIE808DF-T1-E3
Gamintojo produkto numeris:

SIE808DF-T1-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIE808DF-T1-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)

Inventorius:

12918410
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIE808DF-T1-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8800 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
10-PolarPAK® (L)
Pakuotė / dėklas
10-PolarPAK® (L)
Pagrindinio produkto numeris
SIE808

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SIE808DF-T1-E3TR
742-SIE808DF-T1-E3CT
742-SIE808DF-T1-E3TR
SIE808DF-T1-E3DKR-DG
SIE808DF-T1-E3TR-DG
SIE808DF-T1-E3CT
SIE808DF-T1-E3CT-DG
742-SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DFT1E3
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SUP45P03-09-GE3

MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB

vishay-siliconix

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

onsemi

NTB90N02T4

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

vishay-siliconix

SI7322ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK