Gamintojo produkto numeris:
SIHA12N50E-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHA12N50E-GE3-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 500V
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventorius:
909 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12977745
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHA12N50E-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
886 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
32W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 Full Pack
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIHA12N50E-GE3CT
742-SIHA12N50E-GE3TR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQS840EN-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SIHFR120-GE3
MOSFET N-CHANNEL 100V
SQD50P06-15L_T4GE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET