SIHA21N60EF-E3
Gamintojo produkto numeris:

SIHA21N60EF-E3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHA21N60EF-E3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventorius:

12787527
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHA21N60EF-E3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2030 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 Full Pack
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
SIHA21

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SIHP21N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

vishay-siliconix

SIHP22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220