SIHA24N65EF-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHA24N65EF-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHA24N65EF-GE3-DG

Aprašymas:

N-CHANNEL 650V
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventorius:

1770 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12986559
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHA24N65EF-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2774 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
39W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 Full Pack
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
742-SIHA24N65EF-GE3
742-SIHA24N65EF-GE3TR-DG
742-SIHA24N65EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3CT-DG
742-SIHA24N65EF-GE3CT
742-SIHA24N65EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3TR
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

NVMFWS0D4N04XMT1G

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

goford-semiconductor

G3401L

MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT-23-3L

unitedsic

UF3SC120040B7S

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST

vishay-siliconix

IRFR214TRPBF-BE3

N-CHANNEL 250V