Gamintojo produkto numeris:
SIHB12N50C-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHB12N50C-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12786822
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHB12N50C-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
555mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1375 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHB12
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTA12N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
24
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA12N50P-DG
VISO KAINA
1.71
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB11NK50ZT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
872
DiGi DALIES NUMERIS
STB11NK50ZT4-DG
VISO KAINA
1.34
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SIHP24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SUD23N06-31-GE3
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
