Gamintojo produkto numeris:
SIHB15N65E-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHB15N65E-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12787511
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHB15N65E-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
34W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHB15
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK14G65W,RQ
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
3525
DiGi DALIES NUMERIS
TK14G65W,RQ-DG
VISO KAINA
0.93
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB25N80K5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
630
DiGi DALIES NUMERIS
STB25N80K5-DG
VISO KAINA
2.75
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
SIHG180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
