SIHB21N65EF-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHB21N65EF-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHB21N65EF-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

343 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787255
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHB21N65EF-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHB21

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SQD50N04-5M6L_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SUD50P10-43L-GE3

MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

vishay-siliconix

SQM50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

vishay-siliconix

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8