Gamintojo produkto numeris:
SIHB21N65EF-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHB21N65EF-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
343 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787255
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
AsjN
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHB21N65EF-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHB21
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQD50N04-5M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
SQM50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
