Gamintojo produkto numeris:
SIHB22N60AEL-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHB22N60AEL-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
77 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787744
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHB22N60AEL-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
EL
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1757 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHB22
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHB22N60AEL-GE3CT-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKR
SIHB22N60AEL-GE3CT
SIHB22N60AEL-GE3DKR-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TR
SIHB22N60AEL-GE3TR-DG
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
R6020KNJTL
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1540
DiGi DALIES NUMERIS
R6020KNJTL-DG
VISO KAINA
1.47
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
