Gamintojo produkto numeris:
SIHB28N60EF-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHB28N60EF-T1-GE3-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 600V
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
790 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12999583
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHB28N60EF-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
123mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2714 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
250W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIHB28N60EF-T1-GE3TR
742-SIHB28N60EF-T1-GE3CT
742-SIHB28N60EF-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIHB28N60EF-T5-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
800
DiGi DALIES NUMERIS
SIHB28N60EF-T5-GE3-DG
VISO KAINA
2.73
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
G450P04K
MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
MFT6N48T252
MOSFET N 60V 48A 188W TO-252
MFT6N2A5S23
MOSFET - SOT-23 SMD 60VDS 0.5A I
