Gamintojo produkto numeris:
SIHD14N60ET5-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHD14N60ET5-GE3-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 600V
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
2996 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12977849
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHD14N60ET5-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
13A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1205 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
147W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIHD14N60ET5-GE3CT
742-SIHD14N60ET5-GE3TR
742-SIHD14N60ET5-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIHD14N60ET4-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2960
DiGi DALIES NUMERIS
SIHD14N60ET4-GE3-DG
VISO KAINA
0.85
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
SIHD14N60ET1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1644
DiGi DALIES NUMERIS
SIHD14N60ET1-GE3-DG
VISO KAINA
0.87
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJ850EP-T2_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SIHP15N50E-BE3
N-CHANNEL 500V
SI2366DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET