Gamintojo produkto numeris:
SIHF080N60E-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHF080N60E-GE3-DG
Aprašymas:
E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventorius:
1812 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12950364
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHF080N60E-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2557 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 Full Pack
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIHF080N60E-GE3
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
SQS414CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIS178LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
