Gamintojo produkto numeris:
SIHF30N60E-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHF30N60E-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Inventorius:
2979 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12786617
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHF30N60E-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
29A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
37W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
SIHF30
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHF30N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF30N60E-GE3DKR
SIHF30N60E-GE3DKR-DG
742-SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-DG
SIHF30N60E-GE3TR
SIHF30N60E-GE3-DG
SIHF30N60E-GE3TR-DG
SIHF30N60E-GE3TRINACTIVE
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIR166DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
SIHP16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
