Gamintojo produkto numeris:
SIHFR320-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHFR320-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
2954 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12918800
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHFR320-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
SIHFR320
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHFR320-GE3-DG
742-SIHFR320-GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFR320PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2827
DiGi DALIES NUMERIS
IRFR320PBF-DG
VISO KAINA
0.65
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI8451DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
SI1071X-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
NTD4909NA-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
