Gamintojo produkto numeris:
SIHFS9N60A-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHFS9N60A-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12918522
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHFS9N60A-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
170W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHFS9
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFS9N60ATRRPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
875
DiGi DALIES NUMERIS
IRFS9N60ATRRPBF-DG
VISO KAINA
1.51
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
IRFS9N60ATRLPBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
800
DiGi DALIES NUMERIS
IRFS9N60ATRLPBF-DG
VISO KAINA
1.51
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4835DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
SIHA12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIR870DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8