Gamintojo produkto numeris:
SIHG22N60E-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHG22N60E-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventorius:
29 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12786002
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHG22N60E-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1920 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
227W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG22
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHG22N60EE3
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUM65N20-30-E3
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
