SIHG22N60E-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHG22N60E-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHG22N60E-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventorius:

498 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12965891
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHG22N60E-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1920 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
227W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG22

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
SIHG22N60E

Papildoma informacija

Standartinis paketas
25

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
vishay-siliconix

SIHG24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8