Gamintojo produkto numeris:
SIHG25N40D-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHG25N40D-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventorius:
87 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12919899
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHG25N40D-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1707 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
278W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG25
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFH36N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
126
DiGi DALIES NUMERIS
IXFH36N50P-DG
VISO KAINA
5.53
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
APT30F50B
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
86
DiGi DALIES NUMERIS
APT30F50B-DG
VISO KAINA
4.10
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHH14N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
SI7810DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
SI5499DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
