Gamintojo produkto numeris:
SIHG33N60E-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHG33N60E-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventorius:
12919187
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHG33N60E-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
33A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3508 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
278W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG33
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK28N65W,S1F
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
30
DiGi DALIES NUMERIS
TK28N65W,S1F-DG
VISO KAINA
2.69
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SPW35N60C3FKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
198
DiGi DALIES NUMERIS
SPW35N60C3FKSA1-DG
VISO KAINA
5.72
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7457DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
SQM40020E_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
