SIHG33N60E-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHG33N60E-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHG33N60E-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12917386
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHG33N60E-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
33A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3508 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
278W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AC
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHG33

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
SIHG33N60E-GE3-DG
Duomenų lapai
SIHG33N60E-GE3

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SIHG33N60E-GE3CT-DG
SIHG33N60E-GE3CT
Standartinis paketas
500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
STW34NM60N
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
300
DiGi DALIES NUMERIS
STW34NM60N-DG
VISO KAINA
5.32
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SPW35N60CFDFKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
486
DiGi DALIES NUMERIS
SPW35N60CFDFKSA1-DG
VISO KAINA
5.80
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
R6046FNZ1C9
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
278
DiGi DALIES NUMERIS
R6046FNZ1C9-DG
VISO KAINA
7.52
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
SPW32N50C3FKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
245
DiGi DALIES NUMERIS
SPW32N50C3FKSA1-DG
VISO KAINA
4.28
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
vishay-siliconix

SI3447CDV-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SIHW21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD

vishay-siliconix

SIHG20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SUD50N06-08H-E3

MOSFET N-CH 60V 93A TO252