Gamintojo produkto numeris:
SIHH11N60E-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHH11N60E-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventorius:
12786695
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHH11N60E-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
339mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1076 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
114W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 8 x 8
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
SIHH11
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHH11N60E-T1-GE3DKR
SIHH11N60E-T1-GE3CT
SIHH11N60E-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPL60R360P6SATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
681
DiGi DALIES NUMERIS
IPL60R360P6SATMA1-DG
VISO KAINA
0.74
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUD50N024-09P-E3
MOSFET N-CH 22V 49A TO252
SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SIHD6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
