Gamintojo produkto numeris:
SIHJ7N65E-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHJ7N65E-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12921164
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHJ7N65E-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
598mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
820 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIHJ7
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHJ7N65E-T1-GE3CT
SIHJ7N65E-T1-GE3TR
SIHJ7N65E-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK9629-100B,118
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
DI9942T
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
FDC6392S
MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
