Gamintojo produkto numeris:
SIHL630STRL-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHL630STRL-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12787319
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHL630STRL-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SIHL630
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUD40N10-25-T4-E3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
SQ2303ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
SIR866DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
