Gamintojo produkto numeris:
SIHP065N60E-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHP065N60E-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
952 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787037
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHP065N60E-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
40A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
250W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHP065
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHP065N60E-GE3TR-DG
SIHP065N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP065N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP065N60E-GE3DKR-DG
SIHP065N60E-GE3TR
SIHP065N60E-GE3CT
SIHP065N60E-GE3CT-DG
SIHP065N60E-GE3DKR
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIRA62DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
SIHG61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
SIHB24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
