Gamintojo produkto numeris:
SIHP5N50D-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHP5N50D-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12916423
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHP5N50D-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
325 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHP5
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIHP5N50D-E3TR-DG
SIHP5N50D-E3CT-DG
SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3TR
SIHP5N50DE3
SIHP5N50D-E3TRINACTIVE
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDP5N50NZ
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
3522
DiGi DALIES NUMERIS
FDP5N50NZ-DG
VISO KAINA
0.50
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
AOT5N50
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
588
DiGi DALIES NUMERIS
AOT5N50-DG
VISO KAINA
0.34
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIA465EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SQJA42EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
SIB412DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6