SIHP6N80E-BE3
Gamintojo produkto numeris:

SIHP6N80E-BE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SIHP6N80E-BE3-DG

Aprašymas:

N-CHANNEL 800V
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12977798
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SIHP6N80E-BE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
827 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
78W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
742-SIHP6N80E-BE3
742-SIHP6N80E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP6N80E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP6N80E-BE3TR
742-SIHP6N80E-BE3TR-DG
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SQJ457EP-T1_BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJ170ELP-T1_GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJ415EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI2338DS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET