Gamintojo produkto numeris:
SIHU5N50D-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHU5N50D-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventorius:
12787571
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHU5N50D-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
325 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251AA
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
SIHU5
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Produkto brėžiniai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHF8N50L-E3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
SIS776DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SQM40022E_GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
