Gamintojo produkto numeris:
SIHW61N65EF-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIHW61N65EF-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventorius:
12965790
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIHW61N65EF-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
E
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
64A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
371 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7407 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
520W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AD
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
SIHW61
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
480
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STW72N60DM2AG
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
600
DiGi DALIES NUMERIS
STW72N60DM2AG-DG
VISO KAINA
6.50
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IPW60R040C7XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
464
DiGi DALIES NUMERIS
IPW60R040C7XKSA1-DG
VISO KAINA
6.74
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJA38EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR862DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
