Gamintojo produkto numeris:
SIJ400DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIJ400DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 32A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12921091
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIJ400DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7765 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIJ400
Papildoma informacija
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIR466DP-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
21764
DiGi DALIES NUMERIS
SIR466DP-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.40
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
PSMN4R0-30YLDX
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
43587
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN4R0-30YLDX-DG
VISO KAINA
0.24
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PSMN7R0-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
FDP040N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
SIHA240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
