Gamintojo produkto numeris:
SIR5623DP-T1-RE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR5623DP-T1-RE3-DG
Aprašymas:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12999093
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR5623DP-T1-RE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.6V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1575 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR5623
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIR5623DP-T1-RE3CT
742-SIR5623DP-T1-RE3DKR
742-SIR5623DP-T1-RE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB60CH
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM240N03CX6
30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
