Gamintojo produkto numeris:
SIR802DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR802DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12919687
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR802DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1785 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR802
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIR802DP-T1-GE3CT
SIR802DP-T1-GE3DKR
SIR802DPT1GE3
SIR802DP-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSC046N02KSGAUMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
19920
DiGi DALIES NUMERIS
BSC046N02KSGAUMA1-DG
VISO KAINA
0.55
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHP38N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
SI5415EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
SI5476DU-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK
