Gamintojo produkto numeris:
SIR826DP-T1-RE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR826DP-T1-RE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12920515
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR826DP-T1-RE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR826
Papildoma informacija
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
FQP85N06
MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
SIHB24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
