Gamintojo produkto numeris:
SIS412DN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIS412DN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventorius:
91869 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12920434
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIS412DN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
435 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8
Pagrindinio produkto numeris
SIS412
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIS412DN-T1-GE3CT
SIS412DN-T1-GE3DKR
SIS412DNT1GE3
SIS412DN-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUP40N10-30-GE3
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
SQ7415AENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
