Gamintojo produkto numeris:
SISH106DN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SISH106DN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventorius:
5916 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12786938
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SISH106DN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8SH
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8SH
Pagrindinio produkto numeris
SISH106
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SISH106DN-T1-GE3TR
SISH106DN-T1-GE3CT
SISH106DN-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
SIHP186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
SIHFL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
