Gamintojo produkto numeris:
SISH112DN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SISH112DN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventorius:
5870 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12785972
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SISH112DN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2610 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8SH
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8SH
Pagrindinio produkto numeris
SISH112
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SISH112DN-T1-GE3-DG
742-SISH112DN-T1-GE3TR
SISH112DN-T1-GE3CT
SISH112DN-T1-GE3DKR-DG
SISH112DN-T1-GE3TR
742-SISH112DN-T1-GE3CT
742-SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3CT-DG
SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3TR-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SISS61DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
