Gamintojo produkto numeris:
SISS40DN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SISS40DN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventorius:
12920781
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SISS40DN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
ThunderFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
36.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
845 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8S
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8S
Pagrindinio produkto numeris
SISS40
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SISS40DN-T1-GE3TR
SISS40DN-T1-GE3DKR
SISS40DN-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SJ661-1EX
MOSFET P-CH I2PAK
SIHP22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
SQ2360EES-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
