Gamintojo produkto numeris:
SQ3427EEV-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQ3427EEV-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 5.5A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventorius:
12920347
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQ3427EEV-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
82mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1125 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-TSOP
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pagrindinio produkto numeris
SQ3427
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQ3427EEV-T1-GE3CT
SQ3427EEV-T1-GE3TR
SQ3427EEV-T1-GE3DKR
SQ3427EEVT1GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQ3427EV-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
17711
DiGi DALIES NUMERIS
SQ3427EV-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.20
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
SQ3427AEEV-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
18526
DiGi DALIES NUMERIS
SQ3427AEEV-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.23
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4406DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI7460DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
SIHB16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
