Gamintojo produkto numeris:
SQ4153EY-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Išsami aprašymas:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
560 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12953891
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQ4153EY-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.8V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11000 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
7.1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
SQ4153
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQ4153EY-T1_BE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
474
DiGi DALIES NUMERIS
SQ4153EY-T1_BE3-DG
VISO KAINA
0.55
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
ZVN2106ASTOA
MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
