Gamintojo produkto numeris:
SQD100N02_3M5L4GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQD100N02_3M5L4GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
13277376
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQD100N02_3M5L4GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
83W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
SQD100
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQD100N02_3M5L4GE3TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQD100N02-3M5L_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1594
DiGi DALIES NUMERIS
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
VISO KAINA
0.54
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
SIB422EDK-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
SQD23N06-31L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA